授权公布号:CN117238977B
太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统
有效
申请
2023-11-15
申请公布
2023-12-15
授权
2024-02-27
预估到期
2043-11-15
| 申请号 | CN202311518068.4 |
| 申请日 | 2023-11-15 |
| 申请公布号 | CN117238977A |
| 申请公布日 | 2023-12-15 |
| 授权公布号 | CN117238977B |
| 授权公告日 | 2024-02-27 |
| 分类号 | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18;H01L31/068 |
| 分类 | 基本电气元件; |
| 申请人名称 | 天合光能股份有限公司 |
| 申请人地址 | 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 |
专利法律状态
2024-02-27
授权
状态信息
授权
2024-01-02
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L31/0216;申请日:20231115
2023-12-15
公布
状态信息
公布
摘要
本申请涉及太阳能电池技术领域,特别是涉及太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。本申请实施例中,太阳能电池的掺杂层包括轻掺杂区和重掺杂区,重掺杂区包括主体区、连接区和边缘区,电极包括电极主体、连接电极和边缘电极。主体区大致对应于电极主体,连接区和边缘区能够提供对应于连接电极和边缘电极更多的空间。由于主体区的掺杂浓度、连接区的掺杂浓度、边缘区的掺杂浓度以及轻掺杂区的掺杂浓度依次减小,进而能够在改善电极的部分区域与轻掺杂区欧姆接触的情形的同时减少载流子复合,提高基底表面的钝化,进而改善了太阳能电池的开路电压,提升了太阳能电池的填充因子以及太阳能电池的转换效率。


