薄膜及制备方法、太阳电池及制备方法与光伏组件

授权公布号：CN116487448B

有效

申请

2023-06-21

申请公布

2023-07-25

授权

2024-02-27

预估到期

2043-06-21

申请号	CN202310741352.1
申请日	2023-06-21
申请公布号	CN116487448A
申请公布日	2023-07-25
授权公布号	CN116487448B
授权公告日	2024-02-27
分类号	H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/20;H01L31/0747;H01L21/02;C23C16/40
分类	基本电气元件;
申请人名称	天合光能股份有限公司
申请人地址	江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号

专利法律状态

2024-02-27 授权

状态信息

授权

2023-08-11 实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L31/02；申请日:20230621

2023-07-25 公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种透明导电氧化物薄膜及制备方法、太阳电池及制备方法与光伏组件。透明导电氧化物薄膜的载流子迁移率为100cm2/V·S~170cm2/V·S，所述透明导电氧化物薄膜的材料为过渡金属掺杂的氧化铟材料，其中，过渡金属包括锡、钨、铈、钼、锆、钛、铪、锌以及锰中的一种或几种。太阳电池包括上述的透明导电氧化物薄膜。上述透明导电氧化物薄膜的制备方法制备得到的透明导电氧化物薄膜能够实现较高的载流子迁移率。