本发明揭示了一种双面SiP封装结构及其制作方法，包括基板、设置于基板上的第一封装结构、以及设置于基板下的第二封装结构，第二封装结构包括芯片、转接板和塑封体，芯片设置于基板下方，转接板上表面设置导电结构件阵列，转接板通过导电结构件阵列设置于基板下方，塑封体填充基板下表面、芯片与转接板之间的空间区域，转接板下表面设置导电焊盘阵列，导电焊盘阵列与转接板边缘轮廓之间的部分区域设置一凹槽。本发明能够避免塑封过程中塑封料溢到转接板下表面的导电焊盘区域，同时对有多个射频信号屏蔽需求器件配合铜核球与转接板的填铜通孔形成屏蔽结构，对有屏蔽需求的多个器件实现信号屏蔽。