一种带石墨烯层散热的封装结构及其制造方法

授权公布号：CN111180426B

有效

申请

2019-12-31

申请公布

2020-05-19

授权

2023-09-22

预估到期

2039-12-31

申请号	CN201911401619.2
申请日	2019-12-31
申请公布号	CN111180426A
申请公布日	2020-05-19
授权公布号	CN111180426B
授权公告日	2023-09-22
分类号	H01L25/065;H01L21/98;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/50;H01L21/56
分类	基本电气元件;
申请人名称	江苏长电科技股份有限公司
申请人地址	江苏省无锡市江阴市江阴高新区长山路78号

专利法律状态

2023-09-22 授权

状态信息

授权

2020-06-12 实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L25/065；申请日:20191231

2020-05-19 公布

状态信息

公布

摘要

本发明涉及一种带石墨烯层散热的封装结构及其制造方法，所述封装结构包括焊盘朝下的第一芯片（3），所述第一芯片（3）外围包封有第一塑封料（4），所述第一塑封料（4）中设置有第一铜柱（7）和第二铜柱（8），所述第一芯片（3）下表面和第一塑封料（4）下表面设置有第一绿油涂层（9），所述第一绿油涂层（9）表面设置有背面金属线路（10）。本发明芯片封装结构中加入了散热功能极好的石墨烯层，使得芯片工作过程中能及时将热量散出，可以有效的降低芯片的热点值，从而让芯片更稳定的工作。