本发明涉及一种半导体晶圆的刷胶工艺方法，所述工艺包括以下步骤：步骤一、对晶圆背面进行第一次刷胶；步骤二、对第一次刷胶胶层进行全固化烘烤，使其与晶圆结合为一体；步骤三、对晶圆背面进行第二次刷胶；步骤四、对第二次刷胶胶层进行半固化烘烤，至此，二次刷胶工艺完成，最终在晶圆背面形成两层不同固化程度的胶层。本发明一种半导体晶圆的刷胶工艺方法，它能够解决传统一次刷胶过程中出现的因胶层被挤出以及硅屑进入半固化胶层而引起的短路漏电问题。