突发式光模块用浅沟栅状背光探测器及其制作方法

授权公布号：CN103050565B

有效

申请

2012-12-26

申请公布

2013-04-17

授权

2016-05-04

预估到期

2032-12-26

申请号	CN201210573786.7
申请日	2012-12-26
申请公布号	CN103050565A
申请公布日	2013-04-17
授权公布号	CN103050565B
授权公告日	2016-05-04
分类号	H01L31/109;H01L31/18
分类	基本电气元件;
申请人名称	华工科技产业股份有限公司
申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞瑜路243号华工科技产业大厦A座12楼

专利法律状态

2016-05-04 授权

状态信息

授权

2013-05-15 实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/109申请日:20121226

2013-04-17 公布

状态信息

公开

摘要

本发明提供一种突发式光模块用浅沟栅状背光探测器及其制作方法，该背光探测器由底部至上部依次包括有n+-InP衬底、高浓度掺杂的n-InP过渡层、中等浓度掺杂的n-InP缓冲层、非故意掺杂的InGaAs光吸收层、扩锌的P-InP覆盖层、P+-InGaAs电接触层及SiO2保护层，该覆盖层与电接触层内形成有浅沟刻蚀区，该浅沟刻蚀区下方位于该光吸收层内形成有氢离子注入高阻区，在该SiO2保护层上设有环状的金属电极，该金属电极包围该浅沟刻蚀区，该金属电极外围设有金属挡光层。本发明的浅沟栅状氢离子高阻隔离区可有效减少光敏区的面积和PN结电容，达到减小光脉冲信号的开启延迟和光关断后的电脉冲拖尾。