授权公布号:CN107633865B
一种非易失性存储器的数据读取装置及方法
有效
申请
2016-07-19
申请公布
2018-01-26
授权
2024-02-20
预估到期
2036-07-19
| 申请号 | CN201610574359.9 |
| 申请日 | 2016-07-19 |
| 申请公布号 | CN107633865A |
| 申请公布日 | 2018-01-26 |
| 授权公布号 | CN107633865B |
| 授权公告日 | 2024-02-20 |
| 分类号 | G11C16/26;G11C16/06;G11C16/34 |
| 分类 | 信息存储; |
| 申请人名称 | 兆易创新科技集团股份有限公司 |
| 申请人地址 | 北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101 |
专利法律状态
2024-02-20
授权
状态信息
授权
2022-09-20
著录事项变更
状态信息
著录事项变更;IPC(主分类):G11C16/26;变更事项:申请人;变更前:北京兆易创新科技股份有限公司;变更后:兆易创新科技集团股份有限公司;变更事项:地址;变更前:100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层;变更后:100094 北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101
2018-02-23
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):G11C16/26;申请日:20160719
2018-01-26
公布
状态信息
公布
摘要
本发明公开了一种非易失性存储器的数据读取装置及方法。该装置包括:读取比较器,用于根据接收到的读取请求,将存储单元的单元电压与读取参考电压进行比较,并输出读取结果;校验比较器,用于将存储单元的单元电压与校验参考电压进行比较,并输出校验结果;其中,所述校验参考电压小于所述读取参考电压;偏移地址记录单元,用于根据读取结果和校验结果,在确定单元电压高于设定门限值时,确定存储单元为偏移存储单元,则记录偏移存储单元的偏移单元地址;读取纠正单元,用于如果接收到的读取请求命中偏移单元地址时,确定对偏移存储单元的读取结果为设定值,并抑制读取比较器的输出。本发明可减少非易失性存储器读操作中的误读,提高可靠性。


