芯片结构、及其封装方法以及电子设备

授权公布号：CN108735708B

芯片结构、及其封装方法以及电子设备

有效

申请

2018-07-18

申请公布

2018-11-02

授权

2024-01-19

预估到期

2038-07-18

申请号	CN201810792234.2
申请日	2018-07-18
申请公布号	CN108735708A
申请公布日	2018-11-02
授权公布号	CN108735708B
授权公告日	2024-01-19
分类号	H01L23/498;H01L21/48
分类	基本电气元件;
申请人名称	北京比特大陆科技有限公司
申请人地址	北京市海淀区奥北科技园25号楼2层

专利法律状态

2024-01-19 授权

状态信息

授权

2018-11-27 实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L23/498；申请日:20180718

2018-11-02 公布

状态信息

公布

摘要

本发明实施例公开了一种芯片结构、封装方法以及电子设备，该芯片包括晶元（DIE）和电路基板，电路基板包括第一焊盘（VSS）、第二焊盘（VDDS）和第三焊盘（VDDM），其特征在于，所述晶元（DIE）布置在第一焊盘（VSS）上，晶元（DIE）在第一焊盘（VSS）的映射面在第一焊盘（VSS）边框内。相比于现有技术，在本发明实施例中，晶元（DIE）布置在第一焊盘（VSS）上，晶元（DIE）在第一焊盘（VSS）的映射面在第一焊盘（VSS）边框内，晶元（DIE）不会横跨2个或者多个Pad上，不会造成晶元（DIE）在封装过程中受力不均，因而不会产生芯片裂片损失，保证了芯片生产的良率。