一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括第一器件区，基底包括衬底以及分立于衬底上的鳍部；在鳍部露出的衬底上形成隔离结构；在隔离结构上形成横跨鳍部的伪栅结构，包括位于鳍部的顶面和侧壁的栅氧化层、以及位于栅氧化层上的伪栅层；在伪栅结构侧部的隔离结构上形成层间介质层；去除伪栅层，形成栅极开口；在第一器件区的栅极开口下方的隔离结构上形成覆盖层，覆盖层的顶面低于鳍部的顶面；去除覆盖层露出的栅氧化层，以及沿覆盖层和栅氧化层的界面处，去除被覆盖层覆盖的栅氧化层；去除覆盖层。本发明实施例有利于降低隔离结构受损的几率，进而提高隔离结构的顶面高度一致性和平坦度。