一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成多个分立的侧墙，包括掩膜侧墙和伪掩膜侧墙；在基底上形成覆盖侧墙侧壁和顶部的保护层；形成保护层后，在基底上形成掩膜层，掩膜层具有开口，开口露出伪掩膜侧墙顶部的保护层；去除开口露出的伪掩膜侧墙顶部的保护层；以掩膜层和保护层为掩膜，去除伪掩膜侧墙；去除掩膜层和保护层；以掩膜侧墙为掩膜，图形化基底。本发明实施例中保护层能够在去除伪掩膜侧墙的步骤中，对掩膜侧墙起到保护作用，从而有利于防止掩膜侧墙受损，且通过保护层，还有利于减小去除伪掩膜侧墙的工艺受到掩膜侧墙的限制，从而增大去除伪掩膜侧墙的工艺窗口。