一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括第一介质层以及分立于第一介质层上的第一金属层和第二金属层；在第一金属层和第二金属层之间的第一介质层上形成调节层；形成覆盖第一金属层、第二金属层以及调节层的第二介质层。调节层上的第二介质层的厚度与第一金属层上的第二介质层的厚度相差较小，调节层上的第二介质层的厚度与第二金属层上的第二介质层的厚度相差较小，相应的，刻蚀第二介质层，形成露出第一金属层、第二金属层以及调节层的开口的过程中，第一金属层和第二金属层上的开口先形成，调节层上的开口后形成，调节层受损伤较小，调节层的形成质量较高，有利于提高半导体结构的电学性能。