一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，子器件区的基底上形成有多个叠层结构，第二方向垂直于第一方向，沿第一方向叠层结构之间形成有覆盖叠层结构侧壁的介电墙；形成横跨叠层结构和介电墙的伪栅；在子器件区的伪栅两侧的叠层结构中形成凹槽，露出介电墙的侧壁；沿第一方向，对凹槽露出的介电墙的侧壁进行减薄处理；在减薄处理后，在凹槽中形成源漏掺杂层，源漏掺杂层与介电墙的侧壁之间具有间隔；在形成所有子器件区的源漏掺杂层之后，形成覆盖源漏掺杂层的顶面和侧壁，且填充于源漏掺杂层与介电墙之间的接触孔插塞。本发明实施例有利于减小接触孔插塞与源漏掺杂层之间的接触电阻，进而有利于提升半导体结构的性能。