授权公布号:CN114690314B
半导体结构及其形成方法
有效
申请
2020-12-28
申请公布
2022-07-01
授权
2024-03-22
预估到期
2040-12-28
| 申请号 | CN202011587896.X |
| 申请日 | 2020-12-28 |
| 申请公布号 | CN114690314A |
| 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 授权公布号 | CN114690314B |
| 授权公告日 | 2024-03-22 |
| 分类号 | G02B6/122;G02B6/132 |
| 分类 | 光学; |
| 申请人名称 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 申请人地址 | 上海市浦东新区张江路18号 |
专利法律状态
2024-03-22
授权
状态信息
授权
2022-07-19
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):G02B6/122;申请日:20201228
2022-07-01
公布
状态信息
公布
摘要
一种半导体结构及其形成方法,其中结构包括:基底,所述基底上具有光波导层;位于基底上的第一介质层;位于所述第一介质层和光波导层之间的空腔,所述空腔位于所述光波导层侧壁表面,且所述空腔的底部与光波导层的底部齐平;位于所述第一介质层上和光波导层上的第二介质层,所述第二介质层位于所述空腔顶部且将所述空腔封闭。基底,所述基底上具有光波导层;位于基底上的第一介质层;位于所述第一介质层和光波导层之间的空腔,所述空腔位于所述光波导层侧壁表面,且所述空腔的底部与光波导层的底部齐平;位于所述第一介质层上和光波导层上的第二介质层,所述第二介质层位于所述空腔顶部且将所述空腔封闭。所述半导体结构的性能较好。


