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公司信息商标信息专利信息
授权公布号:CN113362871B
非易失性存储电路及其存储方法和读取方法
有效
申请
2020-03-05
申请公布
2021-09-07
授权
2024-03-22
预估到期
2040-03-05
申请号 CN202010146444.1
申请日 2020-03-05
申请公布号 CN113362871A
申请公布日 2021-09-07
授权公布号 CN113362871B
授权公告日 2024-03-22
分类号 G11C11/16;G11C11/18
分类 信息存储;
申请人名称 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 上海市浦东新区张江路18号

专利法律状态

2024-03-22 授权
状态信息
授权
2021-09-24 实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):G11C11/16;申请日:20200305
2021-09-07 公布
状态信息
公布

摘要

一种非易失性存储电路及其存储方法和读取方法,所述非易失性存储电路包括:自旋轨道动量矩磁存储器,所述自旋轨道动量矩磁存储器包括自旋霍尔效应层、第一磁性隧道结和第二磁性隧道结,所述自旋霍尔效应层具有相对的第一面和第二面,所述第一磁性隧道结位于所述第一面上,所述第二磁性隧道结位于所述第二面上,所述自旋霍尔效应层还包括第一端和第二端;第一位线;第二位线;第三位线;第四位线;开关组件,所述开关组件使所述第一端与所述第一位线耦接,使所述第二端与所述第二位线耦接,并且,所述开关组件使所述第一磁性隧道结与所述第三位线耦接,使所述第二磁性隧道结与所述第四位线耦接。从而,减少了存储器的成本并提高了存储器的性能。