授权公布号:CN113362871B
非易失性存储电路及其存储方法和读取方法
有效
申请
2020-03-05
申请公布
2021-09-07
授权
2024-03-22
预估到期
2040-03-05
| 申请号 | CN202010146444.1 |
| 申请日 | 2020-03-05 |
| 申请公布号 | CN113362871A |
| 申请公布日 | 2021-09-07 |
| 授权公布号 | CN113362871B |
| 授权公告日 | 2024-03-22 |
| 分类号 | G11C11/16;G11C11/18 |
| 分类 | 信息存储; |
| 申请人名称 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 申请人地址 | 上海市浦东新区张江路18号 |
专利法律状态
2024-03-22
授权
状态信息
授权
2021-09-24
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):G11C11/16;申请日:20200305
2021-09-07
公布
状态信息
公布
摘要
一种非易失性存储电路及其存储方法和读取方法,所述非易失性存储电路包括:自旋轨道动量矩磁存储器,所述自旋轨道动量矩磁存储器包括自旋霍尔效应层、第一磁性隧道结和第二磁性隧道结,所述自旋霍尔效应层具有相对的第一面和第二面,所述第一磁性隧道结位于所述第一面上,所述第二磁性隧道结位于所述第二面上,所述自旋霍尔效应层还包括第一端和第二端;第一位线;第二位线;第三位线;第四位线;开关组件,所述开关组件使所述第一端与所述第一位线耦接,使所述第二端与所述第二位线耦接,并且,所述开关组件使所述第一磁性隧道结与所述第三位线耦接,使所述第二磁性隧道结与所述第四位线耦接。从而,减少了存储器的成本并提高了存储器的性能。


