一种半导体器件及其形成方法包括：衬底；鳍部，位于衬底上，包括第一部分由牺牲层和衬层组成；第二部分由衬层和通道组成；金属栅极结构，位于衬底上且横跨鳍部的第二部分，填满通道且包围衬层；第一源漏掺杂层，位于金属栅极结构两侧的所述鳍部的第一部分内且位于所述衬底上，第一源漏掺杂层内具有第一掺杂离子；隔离层，位于第一源漏掺杂层上；第二源漏掺杂层，位于部分隔离层上，第二源漏掺杂层内具有第二源掺杂离子，第一掺杂离子与第二掺杂离子的导电类型相反；介质层，位于隔离层上，且覆盖第二源漏掺杂层的顶部和侧壁以及所述金属栅极结构的侧壁；第一导电结构，位于金属栅极结构一侧的介质层内，与第一源漏掺杂层和第二源漏掺杂层电连接。