本发明公开了一种有效减小极紫外掩膜黑边界效应的方法，包括：提供光刻掩膜；得到光刻掩膜图案区域的外边界到图案区域中轴的距离；得到距离和尺寸补偿值的对应关系；其中，图案区域包括第一图案区域和位于其外周侧的第二图案区域；根据距离与距离和尺寸补偿值的对应关系确定尺寸补偿值，进而至少对第二图案区域内的掩膜图案进行补偿，得到修正光刻掩膜，进行光刻。本方案第二图案区域内的掩膜图案的关键尺寸被补偿，在利用修正光刻掩膜进行光刻时，可以有效地减小光刻掩膜黑边界效应对光刻带来的影响，使半导体器件的关键尺寸保持在预设值范围内，进而提高半导体器件的性能。本发明还公开了一种光刻掩膜。