一种半导体结构的形成方法、晶体管，形成方法包括：提供基底，包括衬底和位于衬底上的鳍部，衬底包括稠密区和稀疏区，稠密区中鳍部的分布密度高于稀疏区中鳍部的分布密度；形成覆盖鳍部的第一隔离材料膜；采用臭氧对第一隔离材料膜进行固化处理，形成第一隔离材料层；对第一隔离材料层进行第一退火处理，形成第一隔离层；去除第一隔离层，在鳍部上保形覆盖第一保护层；形成第一保护层后，形成隔离结构，隔离结构覆盖鳍部的部分侧壁。本发明实施例通过依次经过臭氧处理和第一退火处理，使位于稠密区中边缘位置处的鳍部预先向稀疏区弯曲，形成第一保护层使得稠密区中边缘区域的鳍部向稠密区内部弯曲，使得鳍部具有较好的形貌质量。