本发明实施例提供了一种半导体器件及形成方法。在本发明实施例中，提供了一种具有垂直栅极结构的半导体器件的形成方法。本发明实施例通过在第一区域和第二区域形成高度不同的第一介质层，并以第一介质层为掩膜刻蚀去除第一介质层暴露出的栅极堆叠材料层，以形成不同高度的第一栅极结构和第二栅极结构，不同高度的第一栅极结构和第二栅极结构能够使形成在第一区域和第二区域的半导体器件分别具有不同的有效的沟道长度，满足不同器件性能的要求，可以提高半导体器件的灵活性。