一种掩膜版版图、存储单元结构和存储器，掩膜版版图包括：栅极版图，包括位于单元区中的栅极图形，沿第一方向延伸并沿第二方向排列，第一区域和第二区域中的栅极图形分别沿第一方向延伸至相邻端口连接区中；插塞版图，包括位于端口连接区的第一字线插塞图形和第二字线插塞图形，分别位于第一传输门晶体管和第三传输门晶体管对应的栅极图形上、以及第二传输门晶体管和第四传输门晶体管对应的栅极图形上，同一端口连接区中的第一字线插塞图形和第二字线插塞图形在第二方向上位置错开；互连线版图，包括位于端口连接区且连接第一字线插塞图形的第一子互连线图形和连接第二字线插塞图形的第二子互连线图。本发明增大形成字线的工艺窗口。