一种对准标记及其形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括标记区，所述标记区上具有待处理层；在所述标记区上待处理层内形成第一标记开口；以所述第一标记开口作为对准标，在所述标记区上待处理层内形成第二标记开口，所述第一标记开口与所述第二标记开口相互分立。通过在标记区内形成第一标记开口和第二标记开口，且第一标记开口与第二标记开口相互分立，使得所述第一标记开口与所述第二标记开口不会产生重叠，避免因重复刻蚀所述标记区内的同一位置而造成的刻蚀穿透，进而避免了因刻蚀穿透所造成的刻蚀环境污染以及残留物的产生，避免了所述标记区中的残留物进入到器件区中对器件结构造成的影响，有效提升了最终形成的半导体结构的性能。