授权公布号:CN111341795B
溢出电荷漏极图像传感器的实现方法
有效
申请
2018-12-19
申请公布
2020-06-26
授权
2023-07-18
预估到期
2038-12-19
| 申请号 | CN201811556468.3 |
| 申请日 | 2018-12-19 |
| 申请公布号 | CN111341795A |
| 申请公布日 | 2020-06-26 |
| 授权公布号 | CN111341795B |
| 授权公告日 | 2023-07-18 |
| 分类号 | H01L27/146 |
| 分类 | 基本电气元件; |
| 申请人名称 | 格科微电子(上海)有限公司 |
| 申请人地址 | 上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层 |
专利法律状态
2023-07-18
授权
状态信息
授权
2020-08-28
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L27/146;申请日:20181219
2020-06-26
公布
状态信息
公布
摘要
本发明提供一种溢出电荷漏极图像传感器的实现方法,至少有一个像素单元内的晶体管的漏极,同时作为感光二极管的溢出电荷漏极,所述感光二极管溢出势垒高度是用离子注入方式来调节的,通过抽取感光二极管中的多余电荷,避免感光二极管在收集的电荷过多时,可能会发生向邻近像素单元的感光二极管迁移的浮散过程,影响相邻像素单元的图像采集及处理,从而提高成像质量,改善图像传感器性能。


