本发明公开了一种低损耗G.652.D光纤，用VAD法制作掺氯纤芯，用OVD法在纤芯上制作掺氟的内包层，用POVD法制作掺氟的斜坡下陥包层和外包层，在线拉丝；掺氯纤芯和掺氟的内包层的粘度匹配，降低因芯/包粘度失配引起导光界面的应力而产生的光纤附加损耗，不会增加纤芯因组份起伏引起的瑞利散射损耗，掺氯纤芯和内包层界面形成光纤的导光界面结构，斜坡型下陷包层的内径处，折射率由内向外由大减小，形成第二导光界面，下陷包层折射率分布处的折射率呈现斜坡型，与外包层形成梯度差，其界面折射率由内向外，从小到大，不形成明显的折光面。本发明低损耗G.652.D光纤及其制作方法，能够达到纤芯和包层粘度匹配，同时不会增加纤芯因组份起伏引起的瑞利散射损耗。