本发明公开了一种新型超低损耗G.654E光纤及其制作方法，用VAD法制作纤芯，用OVD法在纤芯上制作掺氟内包层，用OVD法制作掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层，沉积纯SiO2外包层多孔体，烧成一体，光纤拉丝；掺氯纤芯的折射率大于掺氟的环沟型下陷内包层的折射率，掺氯纤芯和掺氟的环沟型下陷内包层界面形成的全内反射的第一导光界面，斜坡型下陷包层的内径处，折射率由内向外由大减小，形成第二导光界面，下陷包层折射率分布处的折射率呈现斜坡型，与外包层形成梯度差，界面折射率由内向外，从小到大，不形成明显的折光面。通过上述方式，本发明新型超低损耗G.654E光纤及其制作方法，能够达到纤芯和包层粘度匹配，同时不会增加纤芯因组份起伏引起的瑞利散射损耗。