本发明涉及一种用于待测物离子活度检测的半导体器件及其检测方法，所述的半导体器件包括衬底、设置于衬底上的源极、漏极，所述的半导体器件还包括对所述的待测物的离子活度的灵敏度不同的第一离子敏感膜与第二离子敏感膜，且所述的待测物设置于所述的第一离子敏感膜与所述的第二离子敏感膜之间，所述的第一离子敏感膜设置于所述的衬底上，所述的第二离子敏感膜与栅电源相连接，在一种优选的实施方式中还引入了梳齿电容。采用该种结构的用于待测物离子活度检测的半导体器件及其检测方法，省略了参比电极，引入了两个不同的离子敏感膜，准确地测量出待测物的离子活度，结构简单，成本低，具有较广泛的应用范围。