本发明涉及半导体技术领域，公开了一种电极、离子敏感传感器、电容和离子活度的检测方法。本发明中，一种用于与金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管MOSFET配合对待测物的电容或离子活度进行检测的电极包括：绝缘基底以及形成在所述绝缘基底上的叉指电极；所述叉指电极包括第一电极和第二电极；至少在所述第一电极的表面覆盖有第一离子敏感膜；至少在所述第二电极的表面上覆盖有第二离子敏感膜。通过本发明提供的电极、离子敏感传感器、电容和离子活度的检测方法，实现了将电极和金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管MOSFET分开制作，有效减小了电极与硅片之间的寄生电容，从而提高了对待测物离子活度或电容检测结果的准确性。