本发明属于半导体材料技术领域，本发明具体公开了一种提高碲化镉薄膜电子性能的掺杂方法，本发明创造性的将碲粉、镉粉、碲化镉粉进行共混，其中碲粉、镉粉能够作为活性剂，调整碲化镉粉末的活性并提高碲化镉粉末的致密度，而后将锌源、硒源与碳纳米管通过水热法的方法原位掺杂至碲化镉，改变碲化镉的能带结构，提高光吸收效率，并提高导电性能，提高载流子迁移率，进而显著提高光电性能。