本发明属于半导体材料技术领域，本发明具体公开了一种具有优异光电性能的碲化镉靶材的制备方法及碲化镉薄膜，所述制备方法包括以下步骤：（1）将碲粉、镉粉、碲化镉粉混合均匀，得到混合粉体；（2）将多壁碳纳米管、氯化镉分散于PVP‑K90水溶液中，搅拌均匀，得到改性液；（3）将混合粉体加入到改性液中，搅拌均匀，超声处理，干燥，得到前驱粉体；（4）将所述的前驱粉体进行等离子体改性处理，得到等离子改性处理粉体；（5）将等离子改性处理粉体在混合气氛下进行热处理，冷却，得到碲化镉靶材，具有优异的稳定性和光电性能。