授权公布号:CN117276425B
量子点图案化膜及其制备方法、电子传输层及量子点电致发光器件
有效
申请
2023-11-21
申请公布
2023-12-22
授权
2024-03-26
预估到期
2043-11-21
| 申请号 | CN202311552559.0 |
| 申请日 | 2023-11-21 |
| 申请公布号 | CN117276425A |
| 申请公布日 | 2023-12-22 |
| 授权公布号 | CN117276425B |
| 授权公告日 | 2024-03-26 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L33/04;H01L33/14;H10K71/20;H10K71/40;H10K50/16;H10K50/115;G03F7/00;G03F7/20 |
| 分类 | 基本电气元件; |
| 申请人名称 | 利亚德光电股份有限公司 |
| 申请人地址 | 北京市海淀区正红旗西街9号 |
专利法律状态
2024-03-26
授权
状态信息
授权
2023-12-22
公布
状态信息
公布
摘要
本发明提供了一种量子点图案化膜及其制备方法、电子传输层及量子点电致发光器件。该制备方法包括:步骤S1,将量子点前驱液附着于功能传输层基底上,得到具有量子点层的湿膜;步骤S2,将光敏配体附着于预制纳米印章的图案化表面上,得到具有配体层的光敏配体印章;步骤S3,将湿膜的量子点层与光敏配体印章的配体层接触并进行压印处理,完成压印处理随后去掉印章,得到配体交换量子点膜;以及步骤S4,对配体交换量子点膜依次进行曝光处理和显影处理,得到量子点图案化膜。本申请的以上制备方法充分利用了量子点材料表面配体可交换及溶液可压印赋形的特点,解决了现有技术中量子点图案化薄膜的制备工艺存在复杂、生产良率较低的问题。


