授权公布号:CN112349798B
太阳能电池及其制造方法
有效
申请
2020-10-27
申请公布
2021-02-09
授权
2024-03-08
预估到期
2040-10-27
| 申请号 | CN202011165606.2 |
| 申请日 | 2020-10-27 |
| 申请公布号 | CN112349798A |
| 申请公布日 | 2021-02-09 |
| 授权公布号 | CN112349798B |
| 授权公告日 | 2024-03-08 |
| 分类号 | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 分类 | 基本电气元件; |
| 申请人名称 | 晶科能源股份有限公司 |
| 申请人地址 | 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号 |
专利法律状态
2024-03-08
授权
状态信息
授权
2024-02-02
著录事项变更
状态信息
著录事项变更;IPC(主分类):H01L31/042;变更事项:申请人;变更前:浙江晶科能源有限公司;变更后:浙江晶科能源有限公司;变更事项:地址;变更前:314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业功能区袁溪路陆曼司桥西;变更后:314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号;变更事项:申请人;变更前:晶科能源有限公司;变更后:晶科能源股份有限公司
2021-03-02
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L31/042;申请日:20201027
2021-02-09
公布
状态信息
公布
摘要
本发明实施例提供一种太阳能电池及其制造方法,太阳能电池包括:基底,所述基底包括第一区域和第二区域;位于所述基底上表面的发射极;在所述基底下表面依次层叠的隧穿层、场钝化层、第二钝化膜以及第二电极,所述第一区域的场钝化层用于与所述第二电极接触,所述第一区域的场钝化层的电导率大于所述第二区域的场钝化层的电导率,所述第二区域的场钝化层的吸光能力弱于所述第一区域的场钝化层的吸光能力。本发明实施例有利于提高太阳能电池的转换效率。


