硅片的预处理方法及叠焊太阳能组件的制备方法

授权公布号：CN111834211B

有效

申请

2020-07-24

申请公布

2020-10-27

授权

2023-09-29

预估到期

2040-07-24

申请号	CN202010723818.1
申请日	2020-07-24
申请公布号	CN111834211A
申请公布日	2020-10-27
授权公布号	CN111834211B
授权公告日	2023-09-29
分类号	H01L21/3065;H01L31/18
分类	基本电气元件;
申请人名称	晶科能源股份有限公司
申请人地址	浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业功能区袁溪路陆曼司桥西

专利法律状态

2023-09-29 授权

状态信息

授权

2023-08-18 著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):H01L 21/3065；专利申请号:2020107238181；变更事项:申请人；变更前:浙江晶科能源有限公司；变更后:浙江晶科能源有限公司；变更事项:地址；变更前:314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业功能区袁溪路陆曼司桥西；变更后:314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇工业功能区袁溪路陆曼司桥西；变更事项:申请人；变更前:晶科能源有限公司；变更后:晶科能源股份有限公司

2020-11-13 实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/3065；申请日:20200724

2020-10-27 公布

状态信息

公布

摘要

本发明属于光伏技术领域，提供了一种硅片的预处理方法及叠焊太阳能组件的制备方法，包括：采用激光束对硅片待裂片部位的内部快速加热，采用流体束对硅片待裂片部位的表面快速冷却，使硅片在压应力和拉应力的作用下发生裂片，对硅片的至少一部分表面进行等离子体刻蚀。本发明的方法将应力裂片和等离子体刻蚀联合应用于硅片的预处理中，可显著改善对硅片的切割损伤，使硅片断面均匀，无毛刺或裂纹，硅片的破片率明显下降，并显著减少叠焊太阳能组件的纹路隐裂数量。