授权公布号:CN107385514B
一种单晶硅炉退火装置
有效
申请
2017-07-27
申请公布
2017-11-24
授权
2023-11-28
预估到期
2037-07-27
| 申请号 | CN201710621465.2 |
| 申请日 | 2017-07-27 |
| 申请公布号 | CN107385514A |
| 申请公布日 | 2017-11-24 |
| 授权公布号 | CN107385514B |
| 授权公告日 | 2023-11-28 |
| 分类号 | C30B33/02;C30B29/06 |
| 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 申请人名称 | 晶科能源股份有限公司 |
| 申请人地址 | 江西省上饶市经济技术开发区迎宾大道1号 |
专利法律状态
2023-11-28
授权
状态信息
授权
2023-11-10
著录事项变更
状态信息
著录事项变更;IPC(主分类):C30B33/02;变更事项:申请人;变更前:晶科能源有限公司;变更后:晶科能源股份有限公司;变更事项:地址;变更前:334100 江西省上饶市经济开发区晶科大道1号;变更后:334100 江西省上饶市经济技术开发区迎宾大道1号;变更事项:申请人;变更前:浙江晶科能源有限公司;变更后:浙江晶科能源有限公司
2017-12-19
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):C30B33/02;申请日:20170727
2017-11-24
公布
状态信息
公布
摘要
一种单晶硅炉退火装置,包括主炉室、副炉室与加热器,所述主炉室设置在底部,在所述主炉室顶部设有副炉室,所述副炉室内部设有退火腔,所述退火腔内设有加热器,所述加热器包括加热片单元,加热片单元为环形,依次进行叠加固定,形成圆筒状,每若干个加热片单元形成一组,若干个组形成一个完整的加热器,通过PLC编程控制器,来控制发热的区域,从而根据实际需求,如晶棒的尺寸和长短来合理调整加热区域,充分利用单晶炉内高温炉气,降低能耗,提高硅棒品质精确控制加热位置以及加热时间。


