授权公布号:CN111552475B
一种半导体存储器老化测试的Workload测试文件编译方法、测试方法及系统
有效
申请
2020-04-20
申请公布
2020-08-18
授权
2023-08-15
预估到期
2040-04-20
| 申请号 | CN202010313181.9 |
| 申请日 | 2020-04-20 |
| 申请公布号 | CN111552475A |
| 申请公布日 | 2020-08-18 |
| 授权公布号 | CN111552475B |
| 授权公告日 | 2023-08-15 |
| 分类号 | G06F8/41;G06F11/10 |
| 分类 | 计算;推算;计数; |
| 申请人名称 | 武汉精测电子集团股份有限公司 |
| 申请人地址 | 湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳园南路22号 |
专利法律状态
2023-08-15
授权
状态信息
授权
2020-09-11
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):G06F8/41;申请日:20200420
2020-08-18
公布
状态信息
公布
摘要
本发明公开了一种半导体存储器老化测试的Workload测试文件编译方法、测试方法及系统,其中的方法首先输入Workload测试文件;然后对输入的Workload测试文件进行格式识别,其中,Workload测试文件具有多个命令行,命令行用以表示对指定范围内LBA的操作命令,其中LBA表示逻辑块地址;再根据格式识别结果,对输入的Workload测试文件包含的命令行进行解析,生成与命令行对应的二进制数据,所有命令行对应的二进制数据构成Workload测试文件的编译结果。本发明的方法可以提高对Workload测试文件执行效率以及测试效率,以及解决Workload测试文件命令行格式多样性、正确性问题。


