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公司信息商标信息专利信息
授权公布号:CN111552475B
一种半导体存储器老化测试的Workload测试文件编译方法、测试方法及系统
有效
申请
2020-04-20
申请公布
2020-08-18
授权
2023-08-15
预估到期
2040-04-20
申请号 CN202010313181.9
申请日 2020-04-20
申请公布号 CN111552475A
申请公布日 2020-08-18
授权公布号 CN111552475B
授权公告日 2023-08-15
分类号 G06F8/41;G06F11/10
分类 计算;推算;计数;
申请人名称 武汉精测电子集团股份有限公司
申请人地址 湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳园南路22号

专利法律状态

2023-08-15 授权
状态信息
授权
2020-09-11 实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):G06F8/41;申请日:20200420
2020-08-18 公布
状态信息
公布

摘要

本发明公开了一种半导体存储器老化测试的Workload测试文件编译方法、测试方法及系统,其中的方法首先输入Workload测试文件;然后对输入的Workload测试文件进行格式识别,其中,Workload测试文件具有多个命令行,命令行用以表示对指定范围内LBA的操作命令,其中LBA表示逻辑块地址;再根据格式识别结果,对输入的Workload测试文件包含的命令行进行解析,生成与命令行对应的二进制数据,所有命令行对应的二进制数据构成Workload测试文件的编译结果。本发明的方法可以提高对Workload测试文件执行效率以及测试效率,以及解决Workload测试文件命令行格式多样性、正确性问题。