一种优化原子层沉积的方法

授权公布号：CN113005424B

一种优化原子层沉积的方法

有效

申请

2019-12-20

申请公布

2021-06-22

授权

2022-05-06

预估到期

2039-12-20

申请号	CN201911321990.8
申请日	2019-12-20
申请公布号	CN113005424A
申请公布日	2021-06-22
授权公布号	CN113005424B
授权公告日	2022-05-06
分类号	C23C16/02;C23C16/455;C23C16/40;H01L33/56
分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
申请人名称	明基材料股份有限公司
申请人地址	中国台湾桃园市

专利法律状态

2022-08-26 著录事项变更

状态信息

著录事项变更；IPC(主分类):C23C16/02；变更事项:发明人；变更前:邓仕杰黄如慧；变更后:邓士杰黄如慧

2022-05-06 授权

状态信息

授权

2021-07-09 实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):C23C16/02；申请日:20191220

2021-06-22 公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种优化原子层沉积的方法，包含下列步骤：（A）提供一纤维素纳米纤维；（B）以一酸化处理剂对纤维素纳米纤维进行一酸化处理；（C）以一疏水处理剂对经酸化处理的纤维素纳米纤维进行一疏水处理；（D）将经酸化及疏水处理的纤维素纳米纤维溶于一溶剂中，形成一纤维素纳米纤维溶液；（E）将纤维素纳米纤维溶液涂布于一硅胶薄膜上；（F）对涂布后的硅胶薄膜进行一加热处理，以在硅胶薄膜的表面上形成一纤维素纳米纤维层；以及（G）以原子层沉积法（Atomic Layer Deposition，ALD）在具有纤维素纳米纤维层的硅胶薄膜表面形成一无机镀膜层。