本申请公开了一种GaN基LED发光结构，包括：衬底，以及外延层，所述外延层形成于所述衬底上，包括依次堆叠的：n型掺杂的GaN层；第一InGaN/GaN量子阱层，其中In组分掺杂比例为4％；第二InGaN/GaN量子阱层，其中In组分掺杂比例为8％；第三InGaN/GaN量子阱层，其中In组分掺杂比例为12％；第四InGaN/GaN量子阱层，其中In组分掺杂比例为14％；第五InGaN/GaN量子阱层，其中In组分掺杂比例为16％；p型掺杂的GaN层。本申请公开了一种GaN基LED发光结构的制作方法。本发明中通过In组分梯度渐变的量子阱结构，可以有效地减小量子阱有源区的极化效应，使得电子和空穴的波函数重叠率提高，能够有效提高发光效率。