授权公布号:CN217691653U
超材料电磁吸收装置及隧道机设备
有效
申请
2022-05-17
申请公布
1970-01-01
授权
2022-10-28
预估到期
2032-05-17
| 申请号 | CN202221185455.1 |
| 申请日 | 2022-05-17 |
| 授权公布号 | CN217691653U |
| 授权公告日 | 2022-10-28 |
| 分类号 | H01Q15/00;H01Q17/00 |
| 分类 | 基本电气元件; |
| 申请人名称 | 深圳市远望谷信息技术股份有限公司 |
| 申请人地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新南十道63号高新区联合总部大厦27、28楼 |
专利法律状态
2022-10-28
授权
状态信息
授权
摘要
本申请涉及电磁技术领域,尤其涉及超材料电磁吸收装置及隧道机设备,超材料电磁吸收装置包括依次层叠设置的图形化功能材料层、介质层和金属底板层;所述图形化功能材料层包括一个或多个阵列排布的超材料谐振环;所述超材料谐振环包括位于中间的隔离中心片、多个折线结构和多个阻滞元件,各所述折线结构之间通过所述阻滞元件中心对称地相互连接形成一个环形折线结构围设在所述隔离中心片的外侧,且与所述隔离中心片的边缘具有距离。解决了超高频RFID应用场景中的电磁泄漏问题,实现在不干扰电磁分布的前提下很好地抑制电磁泄漏。


