MOS晶体管及其制造方法与包含MOS晶体管的三维存储器

授权公布号：CN113690144B

有效

申请

2021-09-15

申请公布

2021-11-23

授权

2024-02-27

预估到期

2041-09-15

申请号	CN202111079115.0
申请日	2021-09-15
申请公布号	CN113690144A
申请公布日	2021-11-23
授权公布号	CN113690144B
授权公告日	2024-02-27
分类号	H01L21/336;H01L27/105;H01L29/423;H10B99/00
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2024-02-27 授权

状态信息

授权

2021-12-10 实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L21/336；申请日:20210915

2021-11-23 公布

状态信息

公布

摘要

本公开提供了一种MOS晶体管及其制造方法，以及包括该MOS晶体管的三维存储器。根据本公开的一种MOS晶体管的制造方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括有高压器件区和低压器件区；在高压器件区形成高压器件栅极，在低压器件区形成低压器件栅极；在高压器件栅极的两侧以及低压器件栅极的两侧均形成侧墙，其中，在高压器件栅极的两侧形成的侧墙的宽度大于在低压器件栅极的两侧形成的侧墙的宽度；以及在高压器件栅极的侧墙的两侧的半导体衬底中形成高压器件区的源极和漏极，在低压器件栅极的侧墙的两侧的半导体衬底中形成低压器件区的源极和漏极。