本发明实施例公开了一种半导体器件的制作方法、半导体器件、存储器及存储系统。所述半导体器件的制作方法包括：在基底的背面形成停止层，其中，所述基底的背面与所述基底的正面相对设置，所述基底的侧面分别与所述基底的正面和背面连接；在所述基底的正面、侧面以及所述停止层背离所述基底的一侧形成栅极层；去除所述基底侧面以及所述停止层背离所述基底一侧的栅极层，使所述基底正面的栅极层形成栅极。本发明实施例能够避免栅极层去除时基底背面被损坏，提高半导体器件的性能。