本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件的制造方法包括：衬底；位于衬底上的栅叠层结构，栅叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；贯穿栅叠层结构的多个沟道柱；以及贯穿栅叠层结构的多个假沟道柱，其中，假沟道柱的材料为介质材料。该3D存储器件采用介质材料形成假沟道柱，避免了假沟道柱底部漏电问题，提高了3D存储器件的良率和可靠性。