3D存储器中的堆叠连接件及其制造方法

授权公布号：CN113345910B

3D存储器中的堆叠连接件及其制造方法

有效

申请

2018-08-14

申请公布

2021-09-03

授权

2024-02-27

预估到期

2038-08-14

申请号	CN202110612897.3
申请日	2018-08-14
申请公布号	CN113345910A
申请公布日	2021-09-03
授权公布号	CN113345910B
授权公告日	2024-02-27
分类号	H10B43/35;H10B43/27;H01L21/02;H01L21/225;H01L21/28;H01L21/306;H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/321;H01L29/10
分类	基本电气元件;
申请人名称	长江存储科技有限责任公司
申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

专利法律状态

2024-02-27 授权

状态信息

授权

2021-09-21 实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L27/1157；申请日:20180814

2021-09-03 公布

状态信息

公布

摘要

公开了三维存储器件架构和制造方法的实施例。在示例中，存储器件包括其上具有第一叠层的衬底。第一叠层包括交替的导体层和绝缘体层。第二叠层设置在第一叠层之上，其中第二叠层还包括交替的导体层和绝缘体层。一个或多个垂直结构延伸穿过第一叠层。导电材料设置在一个或多个垂直结构的顶表面上。一个或多个第二垂直结构延伸穿过第二叠层并穿过导电材料的一部分。