公开了三维（3D）存储器件以及用于形成3D存储器件的方法。在第一衬底上方形成包括交错的牺牲层和电介质层的存储器堆叠体。形成垂直地延伸通过所述存储器堆叠体的沟道结构。在第二衬底中形成单晶硅层。在所述第二衬底上方的所述单晶硅层上形成包括位线的互连层。所述单晶硅层以及在其上形成的所述互连层被从所述第二衬底转移到所述第一衬底上方的所述存储器堆叠体上，使得所述互连层中的所述位线被电连接到所述沟道结构。