本公开内容提供三维存储器器件的方法与结构。在示例中，用于形成存储器器件的方法包括以下操作。首先，可以在第一晶圆之上形成多个第一半导体沟道，第一晶圆具有外围器件以及与多个第一半导体沟道相邻的多个第一过孔结构。多个第一半导体沟道可以沿着垂直于第一晶圆的表面的方向延伸。此外，可以在第二晶圆之上形成多个第二半导体沟道，第二晶圆具有与多个第二半导体沟道相邻的多个第二过孔结构。多个第二半导体沟道可以沿着垂直于第二晶圆的表面和外围过孔结构的方向延伸。