本申请公开了一种存储器的操作方法、存储器及存储系统，涉及存储器技术领域。该存储器中包括堆叠的第一存储串和第二存储串，该方法包括：向耦合到第一存储串的第一虚设字线施加第一电压；以及控制耦合到第二存储串的第二虚设字线处于第二电压；所述第一电压高于所述第二电压，且所述第一电压和所述第二电压之间的压差符合在所述第一存储串和第二存储串之间的连接区产生带带隧穿的压差要求。在重掺杂连接区两端形成压差，在重掺杂连接区上下形成电势差强电场，使空穴在强电场区产生，并向第二堆栈的方向运动，从而对第二堆栈的存储单元中的数据进行擦除，避免受重掺杂连接区的影响而无法对中部堆栈进行擦除的问题。