公开了3D存储器件及用于形成其的方法的实施例。在一个示例中，一种3D存储器件包括：衬底的P型掺杂区；位于所述P型掺杂区之上的N型掺杂半导体层；位于所述N型掺杂半导体层之上的包括交织的导电层和电介质层的存储堆叠层；垂直地延伸通过所述存储堆叠层和所述N型掺杂半导体层进入所述P型掺杂区的沟道结构；垂直地延伸进入所述P型掺杂区的N型掺杂半导体插塞；以及，垂直地延伸通过所述存储堆叠层以便与所述N型掺杂半导体插塞接触的源触点结构。