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公司信息商标信息专利信息
授权公布号:CN113311989B
一种基于并行使用的双片NANDFLASH坏块管理方法
有效
申请
2020-02-26
申请公布
2021-08-27
授权
2023-09-22
预估到期
2040-02-26
申请号 CN202010118410.1
申请日 2020-02-26
申请公布号 CN113311989A
申请公布日 2021-08-27
授权公布号 CN113311989B
授权公告日 2023-09-22
分类号 G06F3/06;G06F12/02;G06F12/0891
分类 计算;推算;计数;
申请人名称 北京君正集成电路股份有限公司
申请人地址 北京市海淀区西北旺东路10号院东区14号楼一层A101-A113

专利法律状态

2023-09-22 授权
状态信息
授权
2021-09-14 实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):G06F3/06;申请日:20200226
2021-08-27 公布
状态信息
公布

摘要

本发明提供一种基于并行使用的双片NAND FLASH坏块管理方法,包括以下步骤:S1,在启动过程中,分别对两片NAND FLASH的所有物理擦除块进行扫描,对应构建两个链表,分别用表a和表b表示,每个链表对象至少包含“块序列号”信息,根据坏块信息创建BBT;S2,建立逻辑擦除块和物理擦除块之间的关联,创建逻辑块关联表,用表p表示,表中每个节点用来描述逻辑擦除块分别对应的两个NAND FLASH的物理擦除块的块序列号;S3,如果在使用过程中产生坏块,BBT标记坏块完成后,根据逻辑擦除块的块序列号,更新表a或表b中对应的有效标志为无效,然后去尾节点倒序遍历坏块所在的NAND FLASH中纯净的块将表p中对应的坏块替换。通过本发明使并行的双片NAND FLASH的存储空间利用率达最大化。