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公司信息商标信息专利信息
授权公布号:CN112357875B
MEMS传感器及其制备方法
有效
申请
2020-11-06
申请公布
2021-02-12
授权
2023-12-26
预估到期
2040-11-06
申请号 CN202011237140.2
申请日 2020-11-06
申请公布号 CN112357875A
申请公布日 2021-02-12
授权公布号 CN112357875B
授权公告日 2023-12-26
分类号 B81B7/04;B81C1/00
分类 微观结构技术〔7〕;
申请人名称 杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址 浙江省杭州市黄姑山路4号

专利法律状态

2023-12-26 授权
状态信息
授权
2021-02-12 公布
状态信息
公布

摘要

本发明提供了一种MEMS传感器及其制备方法,在第一衬底和所述第二衬底的正面形成相应的电极层之后,并通过键合工艺将第一衬底和所述第二衬底的正面键合在一起,将电极层密封在键合形成的空腔内,电极层通过导电连接结构或直接与第一衬底的正面的压点电性连接。相当于利用了MEMS工艺实现了器件的制备,提高了器件的可靠性,降低了制备难度,并且还可以简化后续进行的封装步骤。