授权公布号:CN112357875B
MEMS传感器及其制备方法
有效
申请
2020-11-06
申请公布
2021-02-12
授权
2023-12-26
预估到期
2040-11-06
| 申请号 | CN202011237140.2 |
| 申请日 | 2020-11-06 |
| 申请公布号 | CN112357875A |
| 申请公布日 | 2021-02-12 |
| 授权公布号 | CN112357875B |
| 授权公告日 | 2023-12-26 |
| 分类号 | B81B7/04;B81C1/00 |
| 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 申请人名称 | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 申请人地址 | 浙江省杭州市黄姑山路4号 |
专利法律状态
2023-12-26
授权
状态信息
授权
2021-02-12
公布
状态信息
公布
摘要
本发明提供了一种MEMS传感器及其制备方法,在第一衬底和所述第二衬底的正面形成相应的电极层之后,并通过键合工艺将第一衬底和所述第二衬底的正面键合在一起,将电极层密封在键合形成的空腔内,电极层通过导电连接结构或直接与第一衬底的正面的压点电性连接。相当于利用了MEMS工艺实现了器件的制备,提高了器件的可靠性,降低了制备难度,并且还可以简化后续进行的封装步骤。


