本申请公开了一种超声波指纹传感器及其制造方法。该方法包括：形成超声波换能器，包括第一衬底、位于所述第一衬底上的机械支撑层、以及位于所述机械支撑层上的压电叠层；形成CMOS电路，包括第二衬底、在所述第二衬底中形成的至少一个晶体管、以及位于所述至少一个晶体管上的多个布线层和多个层间介质层；将所述超声波换能器和所述CMOS电路彼此连接；以及在所述超声波换能器中形成超声波波导结构，其中，所述机械支撑层为外延多晶层。该方法利用外延多晶生长的机械支撑层减小应力对超声波换能器的性能影响，从而提高频率稳定性和成品率。