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2011-03-31创立 日本京都
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智能科技、新材料、氧化镓材料
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α-Ga₂O₃氧化镓外延片 GaO® 肖特基势垒二极管 SBD
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FLOSFIA品牌介绍

国内绝大多数企业/研究所做β-Ga₂O₃(单斜相);FLOSFIA走α-Ga₂O₃刚玉相,晶格与蓝宝石匹配,采用MISTDRY雾相CVD,不需要昂贵单晶氧化镓衬底,直接在蓝宝石上长高质量氧化镓薄膜。

技术优势:α-Ga₂O₃击穿场强理论更高;蓝宝石衬底便宜,可直接做4英寸晶圆,已完成4英寸α-Ga₂O₃工艺验证;器件低导通电阻,面向车载、工业电源

核心特点:不做氧化镓单晶衬底,异质外延路线;2025年底宣布4英寸α-Ga₂O₃量产技术突破、可靠性攻关完成FLOSFIA

下游:和DENSO电装合作,目标车载功率器件;同时面向工业电源、储能


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公司名称:
株式会社FLOSFIA
法人代表:
人羅俊実
发源地:
日本京都
创立时间:
2011-03-31
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