本发明公开了一种提高晶片腐蚀均匀性的装置及方法，包括第一喷淋臂以及第一喷淋装置,第一喷淋装置安装在可带动其旋转和/或升降的第一喷淋臂上，第一喷淋装置的长度与晶片的半径或直径一致，其喷出的化学药液可瞬间同时覆盖晶片的表面。本发明通过设置第一喷淋装置，在喷射化学药液时，伴随晶片高速旋转的状态，可在晶片表面瞬时均匀覆盖化学药液，使得晶片表面各处同时与化学药液产生反应，解决了现有技术中化学药液在起喷点处腐蚀速率高于晶片其他各处的问题，提高了晶片的腐蚀的均匀性；进一步的，在晶片腐蚀过程中，还可通过调整第二喷淋装置的摆动速率，精确控制晶片腐蚀速率，进一步提高晶片的腐蚀均匀性。