一种改善晶圆腐蚀非均匀性的装置和方法

授权公布号：CN105140158B

一种改善晶圆腐蚀非均匀性的装置和方法

有效

申请

2015-09-28

申请公布

2015-12-09

授权

2018-10-16

预估到期

2035-09-28

申请号	CN201510627963.9
申请日	2015-09-28
申请公布号	CN105140158A
申请公布日	2015-12-09
授权公布号	CN105140158B
授权公告日	2018-10-16
分类号	H01L21/67;H01L21/02
分类	基本电气元件;
申请人名称	北方华创科技集团股份有限公司
申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥东路1号

专利法律状态

2020-08-25 专利权人的姓名或者名称、地址的变更

状态信息

专利权人的姓名或者名称、地址的变更；IPC(主分类):H01L 21/67；专利号:ZL2015106279639；变更事项:专利权人；变更前:北京七星华创电子股份有限公司；变更后:北方华创科技集团股份有限公司；变更事项:地址；变更前:100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号；变更后:100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号

2018-10-16 发明专利权授予

状态信息

授权

2016-01-06 实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L 21/67；申请日:20150928

2015-12-09 发明专利申请公布

状态信息

公布

摘要

本发明公开了一种改善晶圆腐蚀非均匀性的装置和方法，通过利用温度监测单元和温度扫描结果处理单元实时监测晶圆表面温度分布情况，并根据温度扫描结果控制脉冲激光加热单元改变脉冲激光能量在激光光束截面内的分布情况，实现对晶圆表面局部区域的温度调整，从而解决了化学药液膜厚不均匀分布带来的腐蚀非均匀性问题，改善了工艺效果，并提高了芯片质量。