PI膜制备的多层石墨烯量子碳基半导体材料及其制备方法

授权公布号：CN106206682B

失效

申请

2016-08-22

申请公布

2016-12-07

授权

2020-01-31

预估到期

2036-08-22

申请号	CN201610701057.3
申请日	2016-08-22
申请公布号	CN106206682A
申请公布日	2016-12-07
授权公布号	CN106206682B
授权公告日	2020-01-31
分类号	H01L29/12;H01L29/16;H01L29/167;H01L21/324
分类	基本电气元件;
申请人名称	深圳丹邦科技股份有限公司
申请人地址	广东省深圳市高新技术产业园北区朗山一路8号

专利法律状态

2023-09-01 专利权的终止

状态信息

未缴年费专利权终止；IPC(主分类):H01L 29/12；专利号:ZL2016107010573；申请日:20160822；授权公告日:20200131；终止日期:

2020-01-31 授权

状态信息

授权

2017-01-04 实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L29/12；申请日:20160822

2016-12-07 公布

状态信息

公布

摘要

提供一种多层石墨烯量子碳基二维半导体材料及其制备方法，制备方法包括：S1.以PI膜为原料，在第一温度下进行高分子烧结，脱除H、O、N原子，形成碳素前驱体；S2.调整至第二温度，所述碳素前驱体进行石墨化，形成多层石墨烯量子碳基二维半导体材料；其中，至少在所述步骤S2中，进行纳米金属材料的掺杂，以在所述多层石墨烯中形成量子点。经该方法制备的多层石墨烯量子碳基二维半导体材料为六角平面网分子结构，且有序排列，具备柔性，曲折率大、面内分散度和偏差度非常小；通过纳米金属的掺杂形成带隙，且带隙可控；该制备方法能够大面积、低成本、大批量、卷到卷连续生产。